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资料氢气发生器在MOCVD中的广泛应用
时间:2021/7/28 阅读:172
  MOCVD是一种新型的气相外延生长技术,它是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
 
  氢气发生器在MOCVD中的广泛应用:
 
  在MOCVD中,氢气可以担当载气,将III(II)金属有机物和V(VI)族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内,为化学沉积反应和薄膜生长提供基础,MOCVD要求氢气纯度≥99.999%(≥5N),进口压力为4-7bar,而氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。同时,氢气纯度稳定不变,减少了氢气纯度波动对设备的影响。
 
  除此之外,设备操作便捷,保障氢气供应连续不间断,用户无需担心氢气用完,也无需和高压气体钢瓶接触,发生器自动运行,无需额外人工操作;发生器自动侦测自身工作状态和错误,一旦侦测异常,发生器报警。下面介绍MOCVD氢气发生器相关信息。
 
  MOCVD氢气发生器由超纯水机制取二级水,并储存至水箱备用。氢气发生器缺水时,自动供给至氢气发生器。多台氢气发生器可串联使用,通过串联控制线由一台发生器控制其他发生器,实现产气均匀分配。(以两台设备为例控制图如下)
 
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