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资料CVD,MOCVD专用氢气发生器
时间:2021/7/28 阅读:2203
  CVD,MOCVD专用氢气发生器由超纯水机制取二级水,并储存至水箱备用。氢气发生器缺水时,自动供给至氢气发生器。多台氢气发生器可串联使用,通过串联控制线由一台发生器控制其他发生器,实现产气均匀分配。(以两台设备为例控制图如下)

 


 
  CVD,MOCVD专用氢气发生器产品特点:
 
  1.配备纯水系统,完成自来水进水完成大流量的氢气制备。
 
  2.仪器的全部工作过程均由程序控制,自动恒压、恒流,通过串联控制线,可实现多组并联使用。
 
  3.安全可靠:配有安全装置,电解超纯水制氢,无腐蚀、无污染,配有压力控制,缺水自动监控,漏气自动检测。
 
  4.操作方便使用时只需打开电源开关即可产氢,使用后无需泄压,直接关闭电源即可。可连续使用,也可间断使用,产氢量稳定不衰减。
 
  5.使用固态电解质(PEM)法产生氢气,以超纯净水原料,以固体聚合物为电解质,贵金属做电极有效的除湿装置,降低了原始湿度,纯度稳定。

 


 
  CVD,MOCVD专用氢气发生器技术参数:
 
  1.氢气纯度: 99.9999-99.99999%
 
  2.氢气流量:1L-17L/min
 
  3.输出压力:0-80psi(约0.5MPa)
 
  4.压力稳定性:< 0.001MPa
 
  5.供电电源:220V±10% 50HZ
 
  6.消耗功率:8kw(HYDROGEN-17L)
 
  7.纯水需求:>2MΩ&1L/h
 
  8.氢气容积:<20L(HYDROGEN-17L)
 
  9.环境温度:1-40℃
 
  10.相对湿度:<85%
 
  11.海拔高度:<2000米
 
  12.外形尺寸:80x90x100(WxDxH cm)(HYDROGEN-17L)
 
  13.净重:约200kg(HYDROGEN-17L)

 

CVD,MOCVD专用氢气发生器

 


 
  MOCVD是一种新型的气相外延生长技术,它是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
 
  氢气发生器在MOCVD中的广泛应用:
 
  在MOCVD中,氢气可以担当载气,将III(II)金属有机物和V(VI)族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内,为化学沉积反应和薄膜生长提供基础,MOCVD要求氢气纯度≥99.999%(≥5N),进口压力为4-7bar,而氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。同时,氢气纯度稳定不变,减少了氢气纯度波动对设备的影响。
 
  除此之外,设备操作便捷,保障氢气供应连续不间断,用户无需担心氢气用完,也无需和高压气体钢瓶接触,发生器自动运行,无需额外人工操作;发生器自动侦测自身工作状态和错误,一旦侦测异常,发生器报警。
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